Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PSMN2R0-30YLE,115
Изображение служит лишь для справки
PSMN2R0-30YLE,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SC-100, SOT-669
- Mosfet Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 1700 Ohm, 10 V, 1.7 V Rohs Compliant: Yes
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SC-100, SOT-669
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：4
- Material：Metal
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：100A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：272W Tc
- Turn Off Delay Time：41.5 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2011
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Color：Black
- Terminal Form：GULL WING
- Pin Count：4
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：272W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：32.7 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2m Ω @ 25A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.15V @ 1mA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：5217pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：87nC @ 10V
- Rise Time：55.7ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：29.5 ns
- Continuous Drain Current (ID)：100A
- JEDEC-95 Code：MO-235
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Max Dual Supply Voltage：30V
- Drain-source On Resistance-Max：0.0035Ohm
- Avalanche Energy Rating (Eas)：370 mJ
- Diameter：12.7mm
- Height：15.875mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты