Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PSMN013-100YSEX
Изображение служит лишь для справки
PSMN013-100YSEX
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SC-100, SOT-669
- MOSFET N-CH 100V LFPAK
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SC-100, SOT-669
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：4
- Material：Metal
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：82A Tj
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：238W Tc
- Turn Off Delay Time：42 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2012
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- Color：Black, Clear
- Terminal Form：GULL WING
- Pin Count：4
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：238W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：16 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：13m Ω @ 20A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 1mA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3775pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：75nC @ 10V
- Rise Time：23ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：21 ns
- Continuous Drain Current (ID)：82A
- JEDEC-95 Code：MO-235
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Max Dual Supply Voltage：100V
- Drain to Source Breakdown Voltage：100V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：330A
- Turn Off Time-Max (toff)：63ns
- Turn On Time-Max (ton)：39ns
- Diameter：12.7mm
- Height：25.4mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты