Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PSMN1R8-40YLC,115
Изображение служит лишь для справки
PSMN1R8-40YLC,115
- Nexperia USA Inc.
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SC-100, SOT-669
- NEXPERIA - PSMN1R8-40YLC,115 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 100 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 1.45 V
- Date Sheet
Lagernummer 487
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SC-100, SOT-669
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество контактов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:100A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:272W Tc
- Время отключения:62.5 ns
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2012
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:4
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Число контактов:4
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:272W
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:32.2 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.8m Ω @ 25A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.95V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:6680pF @ 20V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:96nC @ 10V
- Время подъема:37ns
- Угол настройки (макс.):±20V
- Время падения (тип):31.7 ns
- Непрерывный ток стока (ID):100A
- Код JEDEC-95:MO-235
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками:40V
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 487
Итого $0.00000