SI1013R-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI1013R-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.5 (17 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
SC-75A
MOSFET 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V
Date Sheet

Lagernummer 29

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SC-75A
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：350mA Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.8V 4.5V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：150mW Ta
Время отключения：35 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2001
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：1.2Ohm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：LOW THRESHOLD
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Число контактов：3
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：150mW
Время задержки включения：5 ns
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.2 Ω @ 350mA, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：450mV @ 250μA (Min)
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.5nC @ 4.5V
Время подъема：9ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
Угол настройки (макс.)：±6V
Время падения (тип)：9 ns
Непрерывный ток стока (ID)：-400mA
Пороговое напряжение：-450mV
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：6V
Напряжение пробоя стока к истоку：-20V
Высота：700μm
Длина：1.58mm
Ширина：760μm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 29

Итого $0.00000