IRFH7911TRPBF

Name: Infineon Technologies IRFH7911TRPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 5 (8 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
18-PowerVQFN
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Date Sheet

Lagernummer 169

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：39 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：18-PowerVQFN
Количество контактов：18
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：13A 28A
Количество элементов：2
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：HEXFET®
Опубликовано：2011
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：2 (1 Year)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：8.6MOhm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности：3.4W
Положение терминала：QUAD
Форма вывода：NO LEAD
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：IRFH7911PBF
Код JESD-30：R-PQFP-N6
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2.4W
Сокетная связка：DRAIN SOURCE
Мощность - Макс：2.4W 3.4W
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8.6m Ω @ 12A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.35V @ 25μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1060pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：12nC @ 4.5V
Непрерывный ток стока (ID)：13A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Максимальный импульсный ток вывода：100A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Номинальное Vgs：2.35 V
Высота：939.8μm
Длина：5.9944mm
Ширина：5mm
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 169

Итого $0.00000