(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FDG6301N-F085P
Изображение служит лишь для справки
FDG6301N-F085P
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM
Date Sheet
Lagernummer 768
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Срок поставки от производителя：36 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：220mA Ta
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Мощность - Макс：300mW
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4 Ω @ 220mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：9.5pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.4nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：25V
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.22A
- Сопротивление открытого канала-макс：4Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：25V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 768
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
