(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FDG6332C-F085P
Изображение служит лишь для справки
FDG6332C-F085P
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- DUAL NP MOS SC70-6 20V
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：700mA Ta 600mA Ta
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Мощность - Макс：300mW Ta
- Тип ТРВ：N and P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：300m Ω @ 700mA, 4.5V, 420m Ω @ 600mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：113pF @ 10V 114pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.7A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.3Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.3W
- Характеристика ТРП：Standard
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
