(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NVC6S5A354PLZT1G
Изображение служит лишь для справки
NVC6S5A354PLZT1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- MOSFET P-CHANNEL 60V 4A 6-CPH
Date Sheet
Lagernummer 6000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：6 Weeks
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Корпус / Кейс：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Поверхностный монтаж：YES
- Вид крепления：Surface Mount
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：1.9W Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4V 10V
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4A Ta
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2018
- Код JESD-609：e6
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Конечная обработка контакта：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：100m Ω @ 2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.6V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：600pF @ 20V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：14nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：3A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.1Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：60V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 6000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
