(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IXTN170P10P
Изображение служит лишь для справки
IXTN170P10P
-
IXYS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-227-4, miniBLOC
- MOSFET P-CH 100V 170A SOT227
Date Sheet
Lagernummer 2500
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：28 Weeks
- Монтаж：Chassis Mount, Screw
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：SOT-227-4, miniBLOC
- Количество контактов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：170A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：890W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：PolarP™
- Опубликовано：2009
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：4
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Nickel (Ni)
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Число контактов：4
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：890W
- Сокетная связка：ISOLATED
- Тип ТРВ：P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：12m Ω @ 500mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：12600pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：240nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Непрерывный ток стока (ID)：170A
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：3500 mJ
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 2500
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
