Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FCH47N60NF
Изображение служит лишь для справки
FCH47N60NF
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET 600V N-Chan MOSFET FRFET, SupreMOS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
- Factory Lead Time：15 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Weight：6.39g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：45.8A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：368W Tc
- Turn Off Delay Time：117 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SupreMOS™
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Base Part Number：FCH47N60
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：368W
- Turn On Delay Time：34 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：65m Ω @ 23.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：6120pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：157nC @ 10V
- Rise Time：22ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：4 ns
- Continuous Drain Current (ID)：45.8A
- Threshold Voltage：3V
- JEDEC-95 Code：TO-247AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain-source On Resistance-Max：0.065Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：2926 mJ
- Height：20.82mm
- Length：15.87mm
- Width：4.82mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты