(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные CMLDM8120 TR
Изображение служит лишь для справки
CMLDM8120 TR
-
Central Semiconductor Corp
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-563, SOT-666
- MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
Date Sheet
Lagernummer 3777
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：21 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：860mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.8V 4.5V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：150mW Ta
- Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Опубликовано：2016
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
- Число контактов：6
- Код JESD-30：R-PDSO-F6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：150m Ω @ 950mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：200pF @ 16V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：3.56nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Угол настройки (макс.)：8V
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.86A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.15Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：20V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 3777
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
