Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BUK9M43-100EX
Изображение служит лишь для справки
BUK9M43-100EX
- Nexperia USA Inc.
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-1210, 8-LFPAK33
- NEXPERIA - BUK9M43-100EX - MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, SOT-1210
- Date Sheet
Lagernummer 3479
- 1+: $0.35681
- 10+: $0.33662
- 100+: $0.31756
- 500+: $0.29959
- 1000+: $0.28263
Zwischensummenbetrag $0.35681
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:26 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-1210, 8-LFPAK33
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:25A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):5V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:80W Tc
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
- Опубликовано:2016
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:4
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Число контактов:8
- Нормативная Марка:AEC-Q101; IEC-60134
- Код JESD-30:R-PSSO-G4
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:43m Ω @ 5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.1V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2309pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:20.2nC @ 5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):100V
- Угол настройки (макс.):±10V
- Непрерывный ток стока (ID):25A
- Максимальный сливовой ток (ID):26A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.044Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода:103A
- Минимальная напряжённость разрушения:100V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):42.7 mJ
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 3479
- 1+: $0.35681
- 10+: $0.33662
- 100+: $0.31756
- 500+: $0.29959
- 1000+: $0.28263
Итого $0.35681