(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SQJA70EP-T1_GE3
Изображение служит лишь для справки
SQJA70EP-T1_GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PowerPAK® SO-8
- MOSFET N-CH 100V 14.7A SO-8
Date Sheet
Lagernummer 5766
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：PowerPAK® SO-8
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：14.7A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：27W Tc
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：4
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PSSO-G4
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：95m Ω @ 4A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：220pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：14.7A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.208Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：18A
- Минимальная напряжённость разрушения：100V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：5 mJ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 5766
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
