FQD10N20LTM

Name: ON Semiconductor FQD10N20LTM
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.9 (7 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
Date Sheet

Lagernummer 644

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Вес：260.37mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：7.6A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：2.5W Ta 51W Tc
Время отключения：50 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：QFET®
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：380MOhm
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：200V
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：7.6A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2.5W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：13 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：360m Ω @ 3.8A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：830pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：17nC @ 5V
Время подъема：150ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：95 ns
Непрерывный ток стока (ID)：7.6A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：200V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 644

Итого $0.00000