(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI4396DY-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SI4396DY-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET 30V 16A 5.4W 11.5mohm @ 10V
Date Sheet
Lagernummer 378
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов：8
- Вес：186.993455mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：16A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：3.1W Ta 5.4W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchFET®
- Опубликовано：2009
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：8
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Pure Matte Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Число контактов：8
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Каналов количество：1
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：11.5m Ω @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.6V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1675pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：45nC @ 10V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Непрерывный ток стока (ID)：12.3A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Максимальный импульсный ток вывода：40A
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：20 mJ
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 378
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
