Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMN2991UFZ-7B
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
DMN2991UFZ-7B
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 3-XFDFN
- MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0606-
Date Sheet
Lagernummer 4697
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:24 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:3-XFDFN
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:550mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):1.2V 4.5V
- Максимальная мощность рассеяния:530mW Ta
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:990m Ω @ 100mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:21.5pF @ 16V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:350nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):20V
- Угол настройки (макс.):±8V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 4697
Итого $0.00000