(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPI50R399CPXKSA1
Изображение служит лишь для справки
IPI50R399CPXKSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- MOSFET N-CH 500V 9A TO-262
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：83W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：CoolMOS™
- Опубликовано：2008
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Положение терминала：SINGLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：399m Ω @ 4.9A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 330μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：890pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：23nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：500V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：9A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.399Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：20A
- Минимальная напряжённость разрушения：500V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：215 mJ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
