Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDD6780

Изображение служит лишь для справки






FDD6780
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 25V 16.5A D-PAK
Date Sheet
Lagernummer 13698
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:16.5A Ta 30A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:3.7W Ta 32.6W Tc
- Время отключения:19 ns
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:PowerTrench®
- Опубликовано:2006
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:3.7W
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:8.5m Ω @ 16.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1590pF @ 13V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:29nC @ 10V
- Время подъема:5ns
- Угол настройки (макс.):±20V
- Время падения (тип):3 ns
- Непрерывный ток стока (ID):16.5A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Максимальный сливовой ток (ID):48A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0086Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку:25V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):24 mJ
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 13698
Итого $0.00000