Изображение служит лишь для справки
SI1024X-T1-E3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:2
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Максимальный ток утечки (ID):0.485 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Indicator type:ring
- Класс защиты:IP65
- Switching cycles (electrical):≥50000
- Relative humidity:45...85 %
- Номинальное напряжение:250 V
- LED service life:≥40000 hours
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PDSO-F6
- Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.7 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:0.65 A
- Минимальная напряжённость разрушения:20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):0.28 W
- Ток насыщения:1
- Контакты:4Pin+2Pin
- Диаметр:25 mm
Со склада 0
Итого $0.00000