SI7846DP-T1-E3

Name: Vishay Intertechnologies SI7846DP-T1-E3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 5 (11 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 150V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8
Date Sheet

Lagernummer 20

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：5
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8
Максимальный ток утечки (ID)：4 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Indicator type：Vandal-proof indicator GQ8 series
Номинальный ток：15 mA
Номинальное напряжение：12-24 V
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
Цвет：blue
Дополнительная Характеристика：FAST SWITCHING
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：R-XDSO-C5
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.05 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：50 A
Минимальная напряжённость разрушения：150 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：5.2 W
Ток насыщения：1

Со склада 20

Итого $0.00000