SIR570DP-T1-RE3

Name: Vishay Intertechnologies SIR570DP-T1-RE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Price: 1.052455 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (18 reviews)

Lagernummer 4827

1+： $1.05245
10+： $0.99288
100+： $0.93668
500+： $0.88366
1000+： $0.83364

Zwischensummenbetrag $1.05245

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：16 Weeks
Поверхностный монтаж：YES
Материал：aluminized/polypropylene film - APET/CPP
Количество терминалов：5
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Type of capacitor：ceramic
Kind of capacitor：MLCC
Монтаж：SMD
Case - inch：0603
Case - mm：1608
Capacitors series：KGQ
Sealing temperature：180-190 °C
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Date Of Intro：2020-09-02
Максимальный ток утечки (ID)：77.4 A
Температура работы-Макс：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Время отключения макс. (toff)：100 ns
Время включения макс. (ton)：66 ns
Допуск：±2%
Код ECCN：EAR99
Тип：Antistatic bag for sealing
Сопротивление：surface (inner/outer surfaces) - 10^7-10^10 Ohm
Цвет：translucent silver-gray
Капацитивность：39pF
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Глубина：228 mm
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：R-PDSO-F5
Диэлектрик：C0G (NP0)
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.0079 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：200 A
Минимальная напряжённость разрушения：150 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：45 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：104 W
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：6.5 pF
Ширина：305 mm
Толщина：15 microns (2 layers)

Со склада 4827

1+： $1.05245
10+： $0.99288
100+： $0.93668
500+： $0.88366
1000+： $0.83364

Итого $1.05245