IRF7807VD1TRPBF

Name: International Rectifier IRF7807VD1TRPBF
Brand: International Rectifier
Rating: 4.9 (7 reviews)

International Rectifier
Транзисторы - Специального назначения
-
Small Signal Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Type of capacitor：ceramic
Kind of capacitor：MLCC
Монтаж：SMD
Case - inch：1206
Case - mm：3216
Capacitors series：KGM
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Код упаковки компонента：SOIC
Описание пакета：SO-8
Максимальный ток утечки (ID)：8.3 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Допуск：±20%
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：Yes
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Капацитивность：22nF
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：unknown
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Число контактов：8
Код JESD-30：R-PDSO-G8
Квалификационный Статус：Not Qualified
Диэлектрик：X7R
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：MS-012AA
Сопротивление открытого канала-макс：0.025 Ω
Минимальная напряжённость разрушения：30 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：2.5 W
Ток насыщения：1

Со склада 0

Итого $0.00000