SIHG039N60E-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SIHG039N60E-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 5 (9 reviews)

Lagernummer 875

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：18 Weeks
Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Date Of Intro：2018-10-02
Максимальный ток утечки (ID)：63 A
Температура работы-Макс：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Время отключения макс. (toff)：405 ns
Время включения макс. (ton)：309 ns
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-247AC
Сопротивление открытого канала-макс：0.039 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：199 A
Минимальная напряжённость разрушения：600 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：633 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：357 W
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：7 pF

Со склада 875

Итого $0.00000