IRF840

Name: Vishay Intertechnologies IRF840
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 4.8 (17 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Type of module：IGBT
Semiconductor structure：transistor/transistor
Max. off-state voltage：1.2kV
Сборный ток：15A
Case：MiniSKiiP® 1
Electrical mounting：Press-Fit
Gate-emitter voltage：±20V
Pulsed collector current：30A
Mechanical mounting：screw
Рохс Код：No
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Код упаковки компонента：TO-220AB
Описание пакета：TO-220AB, 3 PIN
Максимальный ток утечки (ID)：8 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Топология：IGBT three-phase bridge OE output,
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-220AB
Сопротивление открытого канала-макс：0.85 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：32 A
Минимальная напряжённость разрушения：500 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：510 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：125 W
Количество контактов в 2-м разъёме, заряженных：for UPS,

Со склада 0

Итого $0.00000