Изображение служит лишь для справки
TPC8115
- Toshiba America Electronic Components
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: TRANSISTOR 10 A, 20 V, 0.03 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-6J1B, 8 PIN, FET General Purpose Power
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Type of module:IGBT
- Semiconductor structure:transistor/transistor
- Max. off-state voltage:1.2kV
- Сборный ток:25A
- Case:MiniSKiiP® 1
- Electrical mounting:Press-Fit
- Gate-emitter voltage:±20V
- Pulsed collector current:75A
- Mechanical mounting:screw
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:TOSHIBA CORP
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
- Максимальный ток утечки (ID):10 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Число контактов:8
- Код JESD-30:R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Топология:IGBT three-phase bridge OE output,
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.03 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения:20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):1.9 W
- Количество контактов в 2-м разъёме, заряженных:for UPS,
Со склада 0
Итого $0.00000