Изображение служит лишь для справки

TPC8115

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:8
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:1
  • Type of module:IGBT
  • Semiconductor structure:transistor/transistor
  • Max. off-state voltage:1.2kV
  • Сборный ток:25A
  • Case:MiniSKiiP® 1
  • Electrical mounting:Press-Fit
  • Gate-emitter voltage:±20V
  • Pulsed collector current:75A
  • Mechanical mounting:screw
  • Рохс Код:No
  • Код цикла жизни компонента:Obsolete
  • Производитель IHS:TOSHIBA CORP
  • Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
  • Максимальный ток утечки (ID):10 A
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Код ECCN:EAR99
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
  • Число контактов:8
  • Код JESD-30:R-PDSO-G8
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Топология:IGBT three-phase bridge OE output,
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.03 Ω
  • Минимальная напряжённость разрушения:20 V
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):1.9 W
  • Количество контактов в 2-м разъёме, заряженных:for UPS,

Со склада 0

Итого $0.00000