SIA906EDJ-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SIA906EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 4.6 (18 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SC-70, POWERPAK-6
Date Sheet

Lagernummer 60479

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：2
Type of enclosure：multipurpose
Dimension X：308mm
Dimension Y：438mm
Dimension Z：144.5mm
Enclosure series：AUG
Материал корпуса：aluminium
Body colour：silver
Side colour：grey
Размеры：See
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SC-70, POWERPAK-6
Максимальный ток утечки (ID)：4.5 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Форма упаковки：SQUARE
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：NO LEAD
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Код JESD-30：S-XDSO-N6
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.046 Ω
Минимальная напряжённость разрушения：20 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：7.8 W
Ток насыщения：1

Со склада 60479

Итого $0.00000