SIR462DP-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SIR462DP-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Price: 0.809679 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (16 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 18.9A I(D), 30V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
Date Sheet

Lagernummer 1623

1+： $0.80968
10+： $0.76385
100+： $0.72061
500+： $0.67982
1000+： $0.64134

Zwischensummenbetrag $0.80968

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：5
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
Максимальный ток утечки (ID)：18.9 A
Температура работы-Макс：150 °C
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Код JESD-30：R-XDSO-C5
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.0079 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：70 A
Минимальная напряжённость разрушения：30 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：48 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：41.7 W
Ток насыщения：1

Со склада 1623

1+： $0.80968
10+： $0.76385
100+： $0.72061
500+： $0.67982
1000+： $0.64134

Итого $0.80968