Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RQ3L120BJFRATCB
Изображение служит лишь для справки
RQ3L120BJFRATCB
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- PCH -60V -12A, HSMT8AG, POWER MO
Date Sheet
Lagernummer 2432
- 1+： $1.21187
- 10+： $1.14327
- 100+： $1.07856
- 500+： $1.01751
- 1000+： $0.95991
Zwischensummenbetrag $1.21187
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Поставщик упаковки устройства：8-HSMT (3.2x3)
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：12A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：40W (Tc)
- Квалификация：AEC-Q101
- Пакетирование：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Состояние изделия：Active
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：106mOhm @ 12A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 273µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：710 pF @ 30 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15.7 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
- Угол настройки (макс.)：+5V, -20V
- Класс：Automotive
Со склада 2432
- 1+： $1.21187
- 10+： $1.14327
- 100+： $1.07856
- 500+： $1.01751
- 1000+： $0.95991
Итого $1.21187
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты