Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MDD7N65F
Изображение служит лишь для справки
MDD7N65F
-
MDD(Microdiode Semiconductor)
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 650V 7A 39W 1.2Ω@10V,3.5A 2V@250uA 1 N-Channel TO-220F MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Drain Source Voltage (Vdss)：650V
- Power Dissipation (Pd)：39W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：1.2Ω@10V,3.5A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：2V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：6.1pF@25V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：1.09nF@25V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：20.7nC@10V
- Тип：1 N-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты