Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IMBG65R050M2HXTMA1
Изображение служит лишь для справки
IMBG65R050M2HXTMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- SILICON CARBIDE MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 1219
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO263-7-12
- Mfr：Infineon Technologies
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：41A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：15V, 20V
- Максимальная мощность рассеяния：172W (Tc)
- Основной номер продукта：IMBG65R050
- Серия：CoolSiC™ Gen 2
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Состояние изделия：Active
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：62mOhm @ 18.2A, 18V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5.6V @ 3.7mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：790 pF @ 400 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：22 nC @ 18 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
- Угол настройки (макс.)：+23V, -7V
Со склада 1219
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты