(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные PIMN31,115
Изображение служит лишь для справки
PIMN31,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- SC-74, SOT-457
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.42W 6TSOP
Date Sheet
Lagernummer 126000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-74, SOT-457
- Количество контактов：6
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Количество элементов：2
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2007
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-65°C
- Максимальная потеря мощности：420mW
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Основной номер части：PIMN31
- Число контактов：6
- Направленность：NPN, PNP
- Конфигурация элемента：Dual
- Распад мощности：420mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Тип транзистора：2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
- Максимальный ток сбора：500mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：70 @ 50mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 2.5mA, 50mA
- Максимальное напряжение разрушения：50V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
- База (R1)：1k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：10k Ω
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 126000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
