Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные RN4985,LF(CT

Изображение служит лишь для справки






RN4985,LF(CT
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Date Sheet
Lagernummer 2710
- 1+: $0.17824
- 10+: $0.16816
- 100+: $0.15864
- 500+: $0.14966
- 1000+: $0.14119
Zwischensummenbetrag $0.17824
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Диэлектрический пробой напряжение:50V
- Пакетирование:Cut Tape (CT)
- Опубликовано:2014
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности:200mW
- Мощность - Макс:200mW
- Тип транзистора:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):300mV
- Максимальный ток сбора:100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:80 @ 10mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100μA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:300mV @ 250μA, 5mA
- Максимальное напряжение разрушения:50V
- Частота - Переход:250MHz 200MHz
- База (R1):2.2k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2):47k Ω
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 2710
- 1+: $0.17824
- 10+: $0.16816
- 100+: $0.15864
- 500+: $0.14966
- 1000+: $0.14119
Итого $0.17824