UMH6NTR

Name: ROHM Semiconductor UMH6NTR
Brand: ROHM Semiconductor
Rating: 4.8 (13 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Date Sheet

Lagernummer 17

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов：6
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：2
Минимальная частота работы в герцах：68
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2004
Код JESD-609：e2
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN COPPER
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1.2
Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный：50V
Максимальная потеря мощности：150mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：30mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
Основной номер части：*MH6
Число контактов：6
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Dual
Распад мощности：150mW
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：68 @ 5mA 5V
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода：250MHz
Максимальное напряжение разрушения：50V
Частота - Переход：250MHz
База (R1)：47k Ω
Прямоходящий ток коллектора：30mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)：47k Ω
Максимальное напряжение на выходе：0.3 V
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 17

Итого $0.00000