EMC5DXV5T1G

Name: ON Semiconductor EMC5DXV5T1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.9 (19 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
SOT-553
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553
Date Sheet

Lagernummer 22028

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-553
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：5
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：2
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Опубликовано：2010
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Ток постоянного напряжения - номинальный：50V
Максимальная потеря мощности：500mW
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Число контактов：5
Направленность：NPN, PNP
Конфигурация：COMPLEX
Распад мощности：500mW
Применение транзистора：SWITCHING
Без галогенов：Halogen Free
Тип транзистора：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：80 @ 5mA 10V / 20 @ 5mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 300μA, 10mA
Максимальное напряжение разрушения：50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
База (R1)：47k Ω, 4.7k Ω
Прямоходящий ток коллектора：100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)：47k Ω, 10k Ω
Высота：600μm
Длина：1.7mm
Ширина：1.3mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 22028

Итого $0.00000