(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные RN1709JE(TE85L,F)
Изображение служит лишь для справки
RN1709JE(TE85L,F)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- SOT-553
- NPN X 2 BRT, Q1BSR=47K?, Q1BER=2
Date Sheet
Lagernummer 6
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：10 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-553
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Количество элементов：2
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Мощность - Макс：100mW
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：70 @ 10mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- Частота - Переход：250MHz
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.1W
- База (R1)：47k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：22k Ω
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 6
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
