PDTC114ET,235

Name: Nexperia USA Inc. PDTC114ET,235
Brand: Nexperia USA Inc.
Rating: 4.9 (18 reviews)

Nexperia USA Inc.
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PDTC114ET Series 50V 100 mA SMT NPN Resistor-Equipped Transistor -SOT-23
Date Sheet

Lagernummer 58

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：4 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Вес：1.437803g
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：1
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2011
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-65°C
Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Максимальная потеря мощности：250mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：PDTC114
Число контактов：3
Максимальный выходной ток：100mA
Входной напряжение питания：50V
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：150mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода：230MHz
Максимальное напряжение разрушения：50V
Частота - Переход：230MHz
База (R1)：10 k Ω
Прямоходящий ток коллектора：100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)：10 k Ω
Высота：1mm
Длина：3mm
Ширина：1.4mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 58

Итого $0.00000