Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные PDTC144EU,115

Изображение служит лишь для справки






PDTC144EU,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-70, SOT-323
- PDTC144E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 k?, R2 = 47 k?
Date Sheet
Lagernummer 12000
- 1+: $0.04072
- 10+: $0.03842
- 100+: $0.03624
- 500+: $0.03419
- 1000+: $0.03226
Zwischensummenbetrag $0.04072
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:4 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SC-70, SOT-323
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100mA
- Количество элементов:1
- Рабочая температура (макс.):150°C
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2011
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Основной номер части:PDTC144
- Число контактов:3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Направленность:NPN
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Мощность - Макс:200mW
- Применение транзистора:SWITCHING
- Тип транзистора:NPN - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:80 @ 5mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):1μA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:150mV @ 500μA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50V
- База (R1):47 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2):47 k Ω
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 12000
- 1+: $0.04072
- 10+: $0.03842
- 100+: $0.03624
- 500+: $0.03419
- 1000+: $0.03226
Итого $0.04072