(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTC114ECAHZGT116
Изображение служит лишь для справки
DTC114ECAHZGT116
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
Date Sheet
Lagernummer 25
- 1+： $0.04759
- 10+： $0.04490
- 100+： $0.04235
- 500+： $0.03996
- 1000+： $0.03770
Zwischensummenbetrag $0.04759
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：13 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Количество элементов：1
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Опубликовано：2016
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Мощность - Макс：350mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased + Diode
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 10mA 5V
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
- Частота перехода：250MHz
- Частота - Переход：250MHz
- База (R1)：10 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：10 k Ω
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：50V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 25
- 1+： $0.04759
- 10+： $0.04490
- 100+： $0.04235
- 500+： $0.03996
- 1000+： $0.03770
Итого $0.04759
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
