Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные PDTC144EU,135

Изображение служит лишь для справки






PDTC144EU,135
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-70, SOT-323
- TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Date Sheet
Lagernummer 6619
- 1+: $0.13777
- 10+: $0.12997
- 100+: $0.12261
- 500+: $0.11567
- 1000+: $0.10913
Zwischensummenbetrag $0.13777
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:4 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SC-70, SOT-323
- Количество контактов:3
- Диэлектрический пробой напряжение:50V
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:80
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2011
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-65°C
- Дополнительная Характеристика:BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
- Максимальная потеря мощности:200mW
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Основной номер части:PDTC144
- Число контактов:3
- Направленность:NPN
- Конфигурация элемента:Single
- Применение транзистора:SWITCHING
- Тип транзистора:NPN - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):50V
- Максимальный ток сбора:100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:80 @ 5mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):1μA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:150mV @ 500μA, 10mA
- База (R1):47 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2):47 k Ω
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 6619
- 1+: $0.13777
- 10+: $0.12997
- 100+: $0.12261
- 500+: $0.11567
- 1000+: $0.10913
Итого $0.13777