(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные PDTC123JT,215
Изображение служит лишь для справки
PDTC123JT,215
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
Date Sheet
Lagernummer 2007000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Количество элементов：1
- Рабочая температура (макс.)：150°C
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2003
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Основной номер части：PDTC123
- Число контактов：3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Направленность：NPN
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Мощность - Макс：250mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 10mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：100mV @ 250μA, 5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- База (R1)：2.2 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：47 k Ω
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：0.25W
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 2007000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
