Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTA143TMT2L
Изображение служит лишь для справки
DTA143TMT2L
- ROHM Semiconductor
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SOT-723
- TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
- Date Sheet
Lagernummer 34
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:13 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-723
- Количество контактов:3
- Диэлектрический пробой напряжение:50V
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:100
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2006
- Код JESD-609:e2
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Copper (Sn/Cu)
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-55°C
- Дополнительная Характеристика:BUILT-IN BIAS RESISTOR
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.75
- Ток постоянного напряжения - номинальный:-50V
- Максимальная потеря мощности:150mW
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Моментальный ток:-100mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):10
- Основной номер части:DTA143
- Число контактов:3
- Направленность:PNP
- Конфигурация элемента:Single
- Применение транзистора:SWITCHING
- Тип транзистора:PNP - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):50V
- Максимальный ток сбора:100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:100 @ 1mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):500nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:300mV @ 250μA, 5mA
- Частота перехода:250MHz
- Максимальное напряжение разрушения:50V
- Частота - Переход:250MHz
- База (R1):4.7 k Ω
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 34
Итого $0.00000