(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные RN1115MFV,L3F
Изображение служит лишь для справки
RN1115MFV,L3F
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SOT-723
- TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Date Sheet
Lagernummer 9705
- 1+： $0.14601
- 10+： $0.13774
- 100+： $0.12995
- 500+： $0.12259
- 1000+： $0.11565
Zwischensummenbetrag $0.14601
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-723
- Поставщик упаковки устройства：VESM
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2016
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Мощность - Макс：150mW
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：50 @ 10mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- Частота - Переход：250MHz
- База (R1)：2.2 kOhms
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：10 kOhms
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 9705
- 1+： $0.14601
- 10+： $0.13774
- 100+： $0.12995
- 500+： $0.12259
- 1000+： $0.11565
Итого $0.14601
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
