(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные RN2426(TE85L,F)
Изображение служит лишь для справки
RN2426(TE85L,F)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
Date Sheet
Lagernummer 8127
- 1+： $0.31926
- 10+： $0.30119
- 100+： $0.28414
- 500+： $0.26806
- 1000+： $0.25289
Zwischensummenbetrag $0.31926
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：800mA
- Количество элементов：1
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Мощность - Макс：200mW
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип транзистора：PNP - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：-50V
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：90 @ 100mA 1V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 1mA, 50mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- Частота - Переход：200MHz
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.2W
- База (R1)：1 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：10 k Ω
- Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Со склада 8127
- 1+： $0.31926
- 10+： $0.30119
- 100+： $0.28414
- 500+： $0.26806
- 1000+： $0.25289
Итого $0.31926
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
