Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные BCR141E6327HTSA1
Изображение служит лишь для справки
BCR141E6327HTSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Date Sheet
Lagernummer 23238
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：26 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Number of Elements：1
- hFEMin：50
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2004
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Not For New Designs
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-65°C
- Additional Feature：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Voltage - Rated DC：50V
- Max Power Dissipation：250mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：100mA
- Base Part Number：BCR141
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：200mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Halogen Free：Not Halogen Free
- Transistor Type：NPN - Pre-Biased
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：300mV
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：50 @ 5mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
- Transition Frequency：130MHz
- Max Breakdown Voltage：50V
- Frequency - Transition：130MHz
- Emitter Base Voltage (VEBO)：10V
- Resistor - Base (R1)：22 k Ω
- Resistor - Emitter Base (R2)：22 k Ω
- Height：900μm
- Length：2.9mm
- Width：1.3mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 23238
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты