Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTB143ECT116
Изображение служит лишь для справки
DTB143ECT116
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
Date Sheet
Lagernummer 5857
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：13 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Number of Elements：1
- Operating Temperature (Max.)：150°C
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- JESD-609 Code：e1
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
- Additional Feature：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- HTS Code：8541.21.00.75
- Max Power Dissipation：200mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：10
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PDSO-G3
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Power - Max：200mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP - Pre-Biased
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：300mV
- Max Collector Current：500mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：47 @ 50mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：500nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：300mV @ 2.5mA, 50mA
- Transition Frequency：200MHz
- Max Breakdown Voltage：50V
- Frequency - Transition：200MHz
- Resistor - Base (R1)：4.7 k Ω
- Resistor - Emitter Base (R2)：4.7 k Ω
- VCEsat-Max：0.3 V
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
Со склада 5857
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты