Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTB123YCT116
Изображение служит лишь для справки
DTB123YCT116
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
Date Sheet
Lagernummer 6208
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：13 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Number of Elements：1
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：1998
- JESD-609 Code：e1
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：TIN SILVER COPPER
- Max Operating Temperature：150°C
- Additional Feature：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5
- HTS Code：8541.21.00.75
- Max Power Dissipation：200mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：10
- Pin Count：3
- Polarity：PNP
- Element Configuration：Single
- Transistor Application：SWITCHING
- Transistor Type：PNP - Pre-Biased
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：300mV
- Max Collector Current：500mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：56 @ 50mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：500nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：300mV @ 2.5mA, 50mA
- Transition Frequency：200MHz
- Max Breakdown Voltage：50V
- Frequency - Transition：200MHz
- Resistor - Base (R1)：2.2 k Ω
- Resistor - Emitter Base (R2)：10 k Ω
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
Со склада 6208
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты