Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PSMN070-200P,127-NXP
Изображение служит лишь для справки
PSMN070-200P,127-NXP
- NXP USA Inc.
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type:Through Hole
- Package / Case:TO-220-3
- Supplier Device Package:TO-220AB
- Mfr:NXP USA Inc.
- Package:Bulk
- Product Status:Active
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:35A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
- Power Dissipation (Max):250W (Tc)
- Operating Temperature:-55°C ~ 175°C (TJ)
- FET Type:N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs:70mOhm @ 17A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:4570 pF @ 25 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:77 nC @ 10 V
- Drain to Source Voltage (Vdss):200 V
- Vgs (Max):±20V
- FET Feature:-
Со склада 0
Итого $0.00000