Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF840PBF-BE3
Изображение служит лишь для справки
IRF840PBF-BE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Supplier Device Package：TO-220AB
- Mfr：Vishay Siliconix
- Package：Tube
- Product Status：Active
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：8A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：125W (Tc)
- Base Product Number：IRF840
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：500 V
- Typical Turn-On Delay Time：14 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：4 V
- Pd - Power Dissipation：125 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Unit Weight：0.068784 oz
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：300
- Mounting Styles：Through Hole
- Channel Mode：Enhancement
- Part # Aliases：IRF840PBF
- Manufacturer：Vishay
- Brand：Vishay / Siliconix
- Qg - Gate Charge：63 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：850 mOhms
- RoHS：Details
- Typical Turn-Off Delay Time：49 ns
- Id - Continuous Drain Current：8 A
- Series：-
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Packaging：Tube
- Subcategory：MOSFETs
- Configuration：Single
- Number of Channels：1 Channel
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：850mOhm @ 4.8A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1300 pF @ 25 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：63 nC @ 10 V
- Rise Time：23 ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：500 V
- Vgs (Max)：±20V
- Product Type：MOSFET
- Transistor Type：1 N-Channel
- FET Feature：-
- Product Category：MOSFET
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты