Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SQJA60EP-T1_BE3
Изображение служит лишь для справки
SQJA60EP-T1_BE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8
Date Sheet
Lagernummer 4514
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Surface Mount
- Mfr：Vishay Siliconix
- Product Status：Active
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：30A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V, 10V
- Power Dissipation (Max)：45W (Tc)
- Base Product Number：SQJA60
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：60 V
- Typical Turn-On Delay Time：9 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2.5 V
- Pd - Power Dissipation：45 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Unit Weight：0.006596 oz
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：3000
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Channel Mode：Enhancement
- Part # Aliases：SQJA60EP-T1_GE3
- Manufacturer：Vishay
- Brand：Vishay / Siliconix
- Qg - Gate Charge：18 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：12.5 mOhms
- RoHS：Details
- Typical Turn-Off Delay Time：21 ns
- Id - Continuous Drain Current：30 A
- Operating Temperature：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Packaging：MouseReel
- Subcategory：MOSFETs
- Configuration：Single
- Number of Channels：1 Channel
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：12.5mOhm @ 8A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1600 pF @ 25 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：30 nC @ 10 V
- Rise Time：5 ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：60 V
- Vgs (Max)：±20V
- Product Type：MOSFET
- Transistor Type：1 N-Channel
- FET Feature：-
- Product Category：MOSFET
Со склада 4514
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты