DMTH61M8LPS-13

Name: Diodes Incorporated DMTH61M8LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.7 (17 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerTDFN
MOSFET N-CH 60V 225A PWRDI
Date Sheet

Lagernummer 2514

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Поставщик упаковки устройства：PowerDI5060-8
Mfr：Diodes Incorporated
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：225A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：3.2W (Ta), 187.5W (Tc)
Основной номер продукта：DMTH61
Прямоходящий ток вывода Id：225
MSL：-
Квалификация：-
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
Время типичного задержки включения：10.3 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3 V
Распад мощности：187.5 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Вес единицы：0.003422 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：2500
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Производитель：Diodes Incorporated
Бренд：Diodes Incorporated
Зарядная характеристика ворот：115.5 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1.6 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：108.3 ns
Id - Непрерывный ток разряда：225 A
Серия：-
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：187.5
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.6mOhm @ 30A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：8320 pF @ 30 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：115.5 nC @ 10 V
Время подъема：23.9 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Канальный тип：N Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 2514

Итого $0.00000